Диденко Сергей Иванович

2000-н.в. НИТУ МИСИС, ассистент, доцент, заведующий кафедрой.

2015-2017 гг. КазНУ им. аль-Фараби (Казахстан), с.н.с.

2014-2016 гг. РХТУ им. Менделеева, главный специалист.

Кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников».

Инженер по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».

Дополнительное образование

Разработка комплексных моделей научно-образовательных программ в соответствии с целевой моделью развития университета. Московская школа управления Сколково. 46 ч. 2018 г.

Стажировка в ЦЕРН (Швейцария) «Детектор LHCb и его подсистемы», октябрь 2017 г.

Разработаны детекторы нейтронов и альфа-частиц на основе GaAs. Внедрены в эксперименты Национального ядерного центра Республики Казахстан. Разработаны детекторы нейтронов и альфа-частиц на основе синтетического алмаза. Разработаны радиационностойкие фотоприемники на основе GaAs для эксперимента LHCb, ЦЕРН.

Индекс Хирша по Scopus — 20.

Количество статей по Scopus — 221.

ORCID: 0000-0001-5671-5863.

Web of Science ResearcherID: Q-8110-2016.

РИНЦ AuthorID: 311955.

Scopus AuthorID: 57198744458.

SPIN-код: 1589-6581.

Руководитель:

• Тема 3035024 Разработка спектрометрических и координатных полупроводниковых детекторов частиц для применения в экспериментах ядерной и ускорительной физики", Минобрнауки, 2017-2019 г.;
• Тема 3035023 Комплексные исследования многофункциональных материалов и приборов на их основе«, Минобрнауки, 2014-2016 гг.;
• Тема 3035021 Разработка специализированных полупроводниковых детекторов, Минобрнауки, 2012-2013 гг.;
• Тема 7035603 Разработка и создание матричных детекторов ядерного излучения с внутренним усилением на основе GaAs биполярных транзисторов, Минобрнауки, 2009-2011 гг.

Ответственный исполнитель:

• Тема № 075-15-2019-872 Широкоформатные полупрозрачные солнечные панели c использованием стабильных перовскитных архитектур, Минобрнауки, 2018-2022 гг.;
• Тема № 3073202 Разработка технологии и аппаратуры для получения сверхчистых монокристаллов алмаза CVD методом и процессов их легирования для использования в фотонике и в микроэлектронике в виде высокотемпературных полупроводников, Минобрнауки, 2018-2020 гг.;
• Госконтракт № 14.430.12.0003 Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 — 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников), Минобрнауки, 2013-2015 гг.;
• Тема 7035609 Разработка и создание матричных детекторов ядерного излучения с внутренним усилением на основе GaAs гетеробиполярных транзисторов, Минобрнауки, 2009-2011 гг.;
• Тема 3035601 Создание гетероструктурных детекторов ядерного излучения на основе п/п соединений А3В5 для регистрации слабовзаимодействующих частиц, Минобрнауки, 2009-2011 гг.

• Saranin, D., Pescetelli, S., Pazniak, A., Rossi, D., Liedl, A., Yakusheva, A., Luchnikov, L., Podgorny, D., Gostischev, P., Didenko, S., Tameev, A., Lizzit, D., Angelucci, M., Cimino, R., Larciprete, R., Agresti, A., Di Carlo, A — Transition metal carbides (MXenes) for efficient NiO-based inverted perovskite solar cells — Nano Energy, Volume 82, April 2021, Номер статьи 105771, DOI: 10.1016/j.nanoen.2021.105771;
• Shikoh, A.S., Polyakov, A.Y., Gostishchev, P., Saranin, D.S., Shchemerov, I.V., Didenko, S.I., Di Carlo, A. — On the relation between mobile ion kinetics, device design, and doping in double-cation perovskite solar cells — Applied Physics Letters, Volume 118, Issue 9, 1 March 2021, Номер статьи 093501, DOI: 10.1063/5.0037776;
• Shikoh, A.S., Paek, S., Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Shchemerov, I.V, Saranin, D.S., Didenko, S.I., Ahmad, Z., Touati, F., Nazeeruddin, M.K. — Assessing mobile ions contributions to admittance spectra and current-voltage characteristics of 3D and 2D/3D perovskite solar cells — Solar Energy Materials and Solar Cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, Volume 215, 15 September 2020, Номер статьи 110670, DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110670;
• Kir’yanov, A.V., Halder, A., Sekiya, E., Saito, K., Barmenkov, Y.O., Minkovich, V.P., Didenko, S.I., Legotin, S.A., Tapero, K.I. — Impact of electron irradiation upon optical properties of Bismuth/Yttria codoped phosphosilicate fiber — Optics and Laser Technology, Volume 128, August 2020, Номер статьи 106245, DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106245;
• Chernykh, S.V., Chernykh, A.V., Tarelkin, S.A., Kondakov, M.N., Shcherbachev, K.D., Trifonova, E.V., Drozdova, T.E., Troschiev, S.Y., Prikhodko, D.D., Glybin, Y.N., Chubenko, A.P., Britvich, G.I., Kiselev, D.A., Polushin, N.I., Rabinovich, O.I., Didenko, S.I. — High-Pressure High-Temperature Single-Crystal Diamond Type IIa Characterization for Particle Detectors — Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Volume 217, Issue 8, 1 April 2020, Номер статьи 1900888, DOI: 10.1002/pssa.201900888;
• Saranin, D., Gostischev, P., Tatarinov, D., Ermanova, I., Mazov, V., Muratov, D., Tameev, A., Kuznetsov, D., Didenko, S., Di Carlo, A. — Copper iodide interlayer for improved charge extraction and stability of inverted perovskite solar cells — Materials, Volume 12, Issue 9, 2019, Номер статьи 1406, DOI: 10.3390/ma12091406;
• Chernykh, S.V., Tarelkin, S.A., Chernykh, A.V., Troschiev, S.Y., Luparev, N.V., Kornilov, N.V., Teteruk, D.V., Terentiev, S.A., Blank, V.D., Chubenko, A.P., Britvich, G.I., Kostin, M.Y., Polushin, N.I., Didenko, S.I. — Direct Fast-Neutron Detection with Diamond Homoepitaxial Me—p ——p + Structures — Nanotechnologies in Russia, Volume 14, Issue 9-10, 1 September 2019, Pages 476-480, DOI: 10.1134/S1995078019050033;
• Saranin, D.S., Mazov, V.N., Luchnikov, L.O., Lypenko, D.A., Gostishev, P.A., Muratov, D.S., Podgorny, D.A., Migunov, D.M., Didenko, S.I., Orlova, M.N., Kuznetsov, D.V., Tameev, A.R., Di Carlo, A. — Graphene nanosheet/polyaniline composite for transparent hole transporting layer — Journal of Materials Chemistry C, Volume 6, Issue 23, 2018, Pages 6179-6186, DOI: 10.1039/c8tc01169a;
• Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Shchemerov, I.V., Saranin, D.S., Le, T.S., Didenko, S.I., Kuznetsov, D.V., Agresti, A., Pescetelli, S., Matteocci, F., Di Carlo, A. — Trap states in multication mesoscopic perovskite solar cells: A deep levels transient spectroscopy investigation — Applied Physics Letters, Volume 113, Issue 26, 24 December 2018, Номер статьи 263501, DOI: 10.1063/1.5053845;
• Chernykh, A.V., Chernykh, S.V., Didenko, S.I., Burtebaev, N., Nasurlla, M., Nasurlla, M., Britvich, G.I., Chubenko, A.P., Baryshnikov, F.M., Sleptsov, E.V. — GaAs Schottky Barrier Detectors for Alpha-Particle Spectrometry at Temperatures up to 120°C — Technical Physics Letters, Volume 44, Issue 10, 1 October 2018, Pages 942-945, DOI: 10.1134/S106378501810019X.

ORCID: 0000-0001-5671-5863.

Web of Science ResearcherID: Q-8110-2016.

РИНЦ AuthorID: 311955.

Scopus AuthorID: 57198744458.

SPIN-код: 1589-6581.

• Патент РФ № 2737774 от 25.12.2019 — Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов;
• Патент РФ № 2725105 от 27.12.2019 — Способ измерения переходного контактного сопротивления омического контакта;
• Патент РФ № 2694118 от 21.12.2018 — Способ изготовления фотовольтаических элементов с использованием прекурсора для жидкофазного нанесения полупроводниковых слоев р-типа;
• Патент РФ № 2694086 от 25.12.2018 — Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами;
• Патент РФ № 2659618 от 31.01.2017 — Преобразователь ионизирующих излучений с сетчатой объемной структурой и способ его изготовления;
• Патент РФ № 189681 от 26.12.2018 — Монолитный алмазный ΔE-Е детектор;
• Патент РФ № 188417 от 21.12.2018 — Детектор с усилением на основе гетеробиполярного транзистора;
• Патент РФ № 162563 от 22.10.2015 — Сцинтилляционный детектор с фотоприемником на основе GaAs;
• Патент РФ № 2617881 от 22.10.2015 — Интегральная схема быстродействующего матричного приемника оптических излучений;
• Патент РФ № 2608313 от 14.05.2015 — Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления.

• Кондаков Михаил Николаевич, «Омические контакты на основе системы металлизации Mo/Al/Mo/Au к гетероструктурам AlGaN/GaN», к.т.н. по специальности 05.27.06., 20.02.2020 г.
• Саранин Данила Сергеевич, «Горизонтальный ионный затвор для органических и перовскитных солнечных элементов», к.т.н. по специальности 05.27.06., 12.10.2020 г.

Преподавание

НИТУ МИСИС:

2000-2015 гг. Физика полупроводниковых приборов, 144 ч.;

2002-2010 гг. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы, 108 ч.;

2015-наст. время. Планирование научной деятельности, 108 ч.