Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского |
Силаев Иван Вадимович
Работа выполнена на кафедре физики твердого тела и электроники физико-технического факультета Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова».
Научный руководитель:
кандидат физико-математических наук, профессор Блиев Александр Петрович
Официальные оппоненты:
доктор технических наук, профессор, академик РАЕН Мильвидский Михаил Григорьевич
доктор технических наук, профессор Козырев Евгений Николаевич
Ведущая организация:
Открытое Акционерное Общество «Научно-Исследовательский Институт Материалов Электронной Техники»
Защита состоится 18 декабря 2008 г. в 14 часов на заседании диссертационного совета Д 212.132.06 при Государственном технологическом университете «Московский институт стали и сплавов» по адресу: 119049, Москва, Крымский вал, д.3, аудитория К-421.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Государственного технологического университета «Московский институт стали и сплавов».
«»: