Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xNиAlxGa1.xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xNиAlxGa1.xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур |
Ермошин Иван Геннадьевич
Работа выполнена на кафедре «Технологии материалов электроники» ФГОУ ВПО Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» и в ЗАО «Элма-Малахит» ДО ОАО «Концерн Энергомера»
Научный руководитель:
Доктор технических наук, профессор Сушков Валерий Петрович
Официальные оппоненты:
доктор технических наук, профессор Вигдорович Евгений Наумович
кандидат технических наук, руководитель лаборатории ООО «Лист» Никифоров Сергей Григорьевич
Ведущая организация:
ОАО ЦНИИ «Циклон»
Защита состоится 5 ноября 2009 г. в 14:30 часов на заседании диссертационного совета Д 212.132.06 при НИТУ «Московский институт стали и сплавов» по адресу: 119049, Москва, Крымский вал, д.3, аудитория К-421.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Национального исследовательского технологического университета «Московский институт стали и сплавов».
Материалы:
«»: