Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xNиAlxGa1.xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур

Ермошин Иван Геннадьевич

Специальность:
Дата и время защиты:
05.10.2009 13:45
Место защиты:
НИТУ МИСИС

Работа выполнена на кафедре «Технологии материалов электроники» ФГОУ ВПО Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» и в ЗАО «Элма-Малахит» ДО ОАО «Концерн Энергомера»

Научный руководитель:
Доктор технических наук, профессор Сушков Валерий Петрович

Официальные оппоненты:
доктор технических наук, профессор Вигдорович Евгений Наумович
кандидат технических наук, руководитель лаборатории ООО «Лист» Никифоров Сергей Григорьевич

Ведущая организация:
ОАО ЦНИИ «Циклон»

Защита состоится 5 ноября 2009 г. в 14:30 часов на заседании диссертационного совета Д 212.132.06 при НИТУ «Московский институт стали и сплавов» по адресу: 119049, Москва, Крымский вал, д.3, аудитория К-421.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Национального исследовательского технологического университета «Московский институт стали и сплавов».

Материалы:

Диссертации по специальности
«»: