ЗАКОНОМЕРНОСТИ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК β-SiC НА КРЕМНИИ С НАНОПОРИСТЫМ БУФЕРНЫМ СЛОЕМ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Султанов Азрет Оюсович

Специальность: 1.3.11 Физика полупроводников
Искомая ученая степень:
кандидат физико-математических наук
Дата и время защиты:
26.11.2019 15:00
Место защиты:
НИТУ МИСИС, А-305