Закономерности роста эпитаксиальных пленок β-SiC на кремнии с нанопористым буферным слоем и исследование их физических свойств
Султанов Азрет Оюсович
Специальность: 1.3.11 Физика полупроводников
Искомая ученая степень:
кандидат физико-математических наук
Дата и время защиты:
26.11.2019 15:00
Место защиты:
НИТУ МИСИС, А-305
Текст диссертации03.09.2019
Материалы:
Протокол приема диссертации к защите16.09.2019
Объявление о защите16.09.2019
Текст автореферата диссертации18.09.2019
Отзыв научного руководителя18.09.2019
Отзыв ведущей организации15.11.2019
Отзывы, поступившие на работу25.11.2019
Протокол заседания Экспертной комиссии26.11.2019
Диссертации по специальности
«Физика полупроводников»:
