Рождественская лекция «Будущее электроники»

9 декабря 2015 года состоится лекция «Будущее электроники», которую прочитает Валерий Рязанов, главный научный сотрудник лаборатории «Сверхпроводящие метаматериалы».
9 декабря 2015 года в рамках «Рождественских лекций» НИТУ «МИСиС» состоится лекция «Будущее электроники», которую прочитает Валерий Рязанов, главный научный сотрудник лаборатории «Сверхпроводящие метаматериалы».

Современная электроника основана на структурах металл-оксид-полупроводник (полевых транзисторах), размеры которых уже приближаются к 10 нанометрам. Дальнейшее уменьшение структур и интеграция элементов в электрические схемы без серьезного нарушения функциональности вызывает серьезные трудности. Другая проблема — значительное энергопотребление, связанное с тепловыделениями при переключениях полевых транзисторов.

В связи с этим становится актуальным вопрос: что придет на смену полупроводниковой электронике? Ученые из различных областей физики отвечают на этот вопрос по-разному. Предлагаются решения на основе металлических туннельных структур (одно-электронных транзисторов), спиновых (спинтронных) устройств, использующих собственный магнитный момент электрона вместо его заряда, наноструктур на основе отдельных кластеров и молекул (молекулярная электроника) и другие решения, основанные на самых современных открытиях фундаментальной физики.

В настоящей лекции делается короткий обзор всех этих направлений. Основное внимание уделяется перспективам сверхпроводниковой цифровой и квантовой электроники, бурно развивающейся в настоящее время в России и за рубежом.

Валерий Рязанов —
главный научный сотрудник лаборатории «Сверхпроводящие метаматериалы» НИТУ «МИСиС», доктор ф.-м. наук, профессор факультета общей и прикладной физики МФТИ (государственный университет), заведующий лабораторией свехпроводимости ИФТТ РАН.
Область научных интересов:
Нанотехнологии, нанофизика, наноэлектроника, сверхпроводящая электроника, эффект Джозефсона, сверхпроводящие кубиты

Аккредитация на лекцию:
для слушателей:
E-mail: projects@misis.ru

для СМИ:
Пресс-служба НИТУ «МИСиС»
Тел.: +7 (495) 647-23-09
E-mail: press@misis.ru

Поделиться