Адрес кафедры

119049, г. Москва, ул. Крымский Вал, д. 3 (корпус К), 4 этаж, аудитории К-400 — К-419

+7 495 638-44-48
+7 495 638-44-45
+7 495 236-05-12

Пархоменко Юрий Николаевич

И.о. заведующего кафедрой

parkhomenko.in@misis.ru

Кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков готовит специалистов широкого профиля для научной и производственной работы в области аналитических методов исследования, разработки и производства различных материалов, в том числе биосовместимых материалов (полупроводники, диэлектрики, металлы), используемых в микро- и наноэлектронике, оптоэлектронике, солнечной энергетике, силовой электронике и в устройствах отображения информации, в медицине.

Материаловедение (Materials Science and Engineering)

Междисциплинарный раздел, находящийся на стыке большого числа наук, таких как физика твердого тела, физическая химия, химия, биология, кристаллофизика, сопротивление материалов и многих других. Список далеко не полный, и ограничивается лишь областью изучаемых свойств и условий применения того или иного материала. Материаловедение — наука о природе свойств материалов, принципиальных путях управления этими свойствами и разработка материалов различного функционального назначения с оптимальным сочетанием свойств.

Наука о материалах получила свое развитие с древнейших времен и останется одним из наиболее актуальных направлений в будущем. Каждый день человек использует огромное количество всевозможных материалов и устройств на их основе. Практически все эти материалы являются искусственными, а оставшаяся часть натуральных материалов подвергнута той или иной обработке. Методы получения этих материалов, их исследование и обработка с целью получения требуемых эксплуатационных качеств и есть основные задачи материаловеда-исследователя.

Основные научные направления
  • Материаловедение объемных полупроводниковых, диэлектрических и сегнетоэлектрических материалов.
  • Технология и материаловедение тонкопленочных структур, в том числе наноградиентных оптических структур, сегнетоэлектрических и электрооптических пленок, кремний-углеродных алмазоподобных нанокомпозитов.
  • Создание и исследование объемных термоэлектрических материалов с нано- микро- и субмикронными элементами структуры.
  • Исследование акустооптических свойств материалов для функциональных устройств опто- и акусто- электроники.
Кадровый состав

В настоящее время на кафедре работает 48 человек, в том числе:

  • 5 профессоров (4 — д.ф-м.н., 1 — д.т.н.);
  • 15 доцентов (13 — к.ф-м.н.; 2 — к.т.н.);
  • 2 старших преподавателей (1 — к.ф-м.н.; 1 — без ученой степени);
  • 3 ассистента; 9 человек — учебно-вспомогательный персонал;
  • 14 научных сотрудников, из них (1 — д.х.н., 1 — д.ф-м.н., 7 — к.ф-м.н., 2 — вед.н.с., 4 — ст.н.с., 1 — вед.эксп. и др.)
Материаловедение функциональных материалов наноэлектроники

Материаловедение охватывает огромный спектр деятельности и затрагивает множество областей науки — физику, химию, биологию и др. За период учебы студенты осваивают методы анализа и прогнозирования поведения свойств полупроводников, металлов, диэлектриков, композитных наноматериалов и гетероструктур, применяемых в электронике, оптике, медицине, механике и энергетике. Разрабатывают новые материалы и исследуют их свойства.

Кристаллы квантовой и оптической электроники

В настоящее время во всем мире происходит стремительное внедрение лазеров практически во все направления науки и техники. Для большого круга задач необходимы устройства генерации лазерного излучения и управления пространственно временными характеристиками лазерного потока. Решение этих задач лежит в использовании анизотропных материалов — кристаллов. Студенты учатся использовать закономерности квантовых взаимодействий света с атомными системами для оценки характеристик элементов квантовой электроники и определения требований к материалам и приборам на их основе для создания элементной базы квантовой и оптической электроники. Полученные знания позволяют студентам работать как в направлении получения и исследования новых материалов квантовой и оптической электроники так и в направлении создания любых новых приборов квантовой электроники.

Фотогалерея