История кафедры

В 1962 году в Московском институте стали и сплавов (ныне — Университет МИСИС) на новом факультете полупроводниковых материалов и приборов в числе первых были созданы кафедры материаловедения полупроводников и кристаллографии.

Кафедра материаловедения полупроводников стала первой в стране кафедрой, создавшей школу материаловедения для подготовки специалистов электронной промышленности.

Для работы на кафедре были приглашены высококвалифицированные работники промышленности, доценты и кандидаты наук: М.М. Самохвалов, М.Я. Дашевский, Б.Е. Левин, В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина, Т.Д. Лисовская, А.А. Галаев и другие. Были созданы лаборатории роста кристаллов, микроэлектроники с вакуумным оборудованием для получения и исследования пленок и процессов диффузии, структурная, занимающаяся исследованием структуры полупроводников с использованием дифракционных и оптических методов, метрики, проводящая измерения основных электрофизических параметров полупроводников, ферритов, оснащенная оборудованием для приготовления и термической обработки, измерения основных магнитных параметров ферритов.

С 1962 по 1964 г.г. до создания специальной кафедры полупроводниковых приборов кафедра материаловедения полупроводников занималась также проблемами физики и технологии полупроводниковых приборов. На кафедре были разработаны первые новые курсы и практикумы: «Материаловедение полупроводников» и «Методы исследования структуры полупроводников». Программы этих курсов были утверждены Министерством Высшего и среднего специального образования СССР в качестве типовых для специальности «Технология специальных материалов электронной техники». Для студентов старших курсов на кафедре подготовлены и читались шесть спецкурсов: «Выращивание монокристаллов с заданными свойствами и структурой», «Пленочная технология», «Диффузия в полупроводниках», «Поверхностные явления в полупроводниках», «Диффузионные методы исследования структуры и структурных несовершенств», «Свойства, состав и технология получения ферритов. Ферриты для СВЧ».

Основателем и руководителем кафедры был заслуженный деятель науки и техники РФ, профессор, доктор технических наук Семен Самуилович Горелик (1911-2007). Он прошел долгий и славный жизненный путь: с 16 лет — рабочий, комсомольский работник на строительстве Магнитки в 1931-1933 г.г., до июля 1935 г. — красноармеец на Дальнем Востоке (г. Чита), с 1935 г. по 1941 г. студент Института стали, сотрудник отдела оборонной промышленности МГК КПСС в годы Великой Отечественной войны. За вклад в организацию работы оборонной промышленности Москвы, в производство боеприпасов, С.С. Горелик был награжден орденом Красной Звезды. С 1946 года он непрерывно трудился в МИСиС: поступил в аспирантуру, в 1949 году защитил кандидатскую диссертацию, затем 13 лет работал на кафедре рентгенографии и физики металлов, и в 1962 году защитил докторскую диссертацию, получил звание профессора.

Научная деятельность С.С. Горелика к 1962 году концентрировалась на проблеме рекристаллизации металлов и сплавов. В июле 1962 года он был назначен на должность первого декана и в короткие сроки сумел организовать новый факультет полупроводниковых материалов и приборов. Семен Самуилович руководил факультетом в течение 10 лет, 25 лет он возглавлял кафедру материаловедения полупроводников. До самой своей смерти в 2007 г. С.С. Горелик читал лекции и вел активную научную работу на кафедре. В соавторстве с М.Я. Дашевским им написан учебник «Материаловедение полупроводников и диэлектриков», не имеющий аналогов в отечественной и мировой литературе.

Семеном Самуиловичем создана научная школа в области металловедения и материаловедения микро- и наноэлектроники. Под его научным руководством и при его огромной помощи в постановке и проведении исследований защищены 15 докторских и 75 кандидатских диссертаций. Исследования, проводимые этой школой, широко известны научной общественности, их результаты до сих пор ежегодно докладываются на отечественных и международных конференциях.

С.С. Гореликом впервые дано определение материаловедения как науки (Изв. вузов. МЭТ. 2003. № 1), в отличие от общепринятого в мире определения — «науки о материалах». Он является автором более 300 научных статей.

По инициативе С. С. Горелика в 1998 г. создан журнал «Известия вузов. Материалы электронной техники», получивший широкое признание.

Деятельность С. С. Горелика в области подготовки высококвалифицированных инженеров и научных работников и развития материаловедения как науки высоко оценена научной общественностью, министерством высшего образования, правительством. Он награжден орденами Красной Звезды (1944г.), «Знак Почета» (1980 г.), «Почета» (2002 г.), медалью «За трудовую доблесть» и 12 другими медалями.

Первоначально кафедра выпускала инженеров-физиков с усиленным материаловедческим образованием, а в последствие инженеров электронной техники по специальности «Полупроводники и диэлектрики». Дипломники специализировались по следующим профилям: материаловедение полупроводников (влияние состава, структуры и технологических воздействий на свойства); методы исследования структуры полупроводников; магнитные полупроводники — ферриты. К 1969 году кафедра выпустила уже более 300 инженеров и подготовила 6 кандидатов наук.

Организатором и первой заведующей кафедры кристаллографии была выдающийся ученый-кристаллограф, проф., доктор физико-математических наук Марианна Петровна Шаскольская (1913–1983). В 1993 г. кафедра кристаллографии переименована в кафедру физики кристаллов. После реструктуризации университета в 2006 г. кафедры были объединены и вошли в состав института Физики-химии материалов (ныне института Новых материалов и нанотехнологий).

В 1962 г. в Московском институте стали и сплавов был создан факультет — «Полупроводниковые материалы и приборы», и Марианна Петровна становится организатором и заведующей кафедрой кристаллографии — первой подобной кафедрой в техническом вузе Советского Союза. Это одна из самых ярких и интересных страниц в ее биографии. Тогда, в период становления отечественной электроники, в большом количестве потребовались специалисты по материалам этой промышленности — полупроводниковым и диэлектрическим кристаллам. Кому, как не ей и проф. С.С. Горелику, первому декану нового факультета, было взяться за решение этой задачи? И М.П. вложила в создание кафедры свой огромный организаторский талант, душу, а главное — умение находить и привлекать к делу специалистов, умнейших и талантливейших людей, работавших в области кристаллографии и кристаллофизики, заражая их своим интересом и энтузиазмом.

М.П. возглавляла кафедру кристаллографии до 1972 года, а затем, передав ее своему ученику профессору А.А. Блистанову, оставалась профессором этой кафедры до последних дней своей жизни. В 1988 году по постановлению ЮНЕСКО имя М.П. Шаскольской внесено в сборник «47 выдающихся женщин-физиков мира».

Александр Алексеевич Блистанов (1937–2005) — студент, аспирант физико-химического факультета, заместитель декана при создании факультета «Полупроводниковых материалов и приборов», и декан факультета ПМП с 1972 по 1982 г., проректор на научной работе МИСиС с 1986 по 1992 г., заведующий кафедрой физики кристаллов с 1972 по 2002 г., доктор физико-математических наук, профессор.

Награжден Орденом Трудового Красного Знамени. А.А. Блистанов в течение 15 лет являлся председателем ученого совета пинститута и членом ученого совета при ИК РАН по присуждению ученых степеней, председателем научно-методической комиссии Министерства образования РФ по направлению «Техническая физика». Много лет А.А. Блистанов активно работал в редколлегии журнала «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», был членом оргкомитетов ряда международных научных конференций по физике кристаллов. Под его руководством были разработаны учебные планы и программы для подготовки инженеров по специализации «Материалы и компоненты квантовой электроники и оптоэлектроники», бакалавров по направлению «Техническая физика» и магистров по программе «Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники». По его предложению и при непосредственном руководстве кафедра физики кристаллов была сориентирована на выпуск специалистов в области квантовой электроники и акустоэлектроники. А.А. Блистанов явился инициатором создания трехуровневой системы подготовки специалистов на факультете ПМП и кафедре физики кристаллов. Под его руководством создано и защищено более 100 выпускных работ, 20 кандидатских и докторских диссертаций. Ученики школы профессора А.А. Блистанова, которые работают не только в МИСИС, но и в ведущих научных центрах страны и за рубежом, успешно выдержали жесткую проверку в промышленных и научных сферах. А.А. Блистанов вместе с соавторами опубликовал более 200 научных трудов, более 50 изобретений и патентов. В соавторстве создан уникальный справочник «Акустические кристаллы». В 2000 г. вышла из печати монография «Кристаллы квантовой и нелинейной оптики», по полноте охвата и глубине изложения физики явлений, лежащих в основе применения кристаллов, не имеющая аналогов среди учебных пособий в России и за рубежом.

С 1988 г. по 1998 г. кафедрой материаловедения полупроводников заведовал профессор доктор физико-математических наук Аули Александрович Галаев (1935–1998). В 1963 г. после окончания Московского института стали и сплавов А.А. Галаев был направлен на работу на кафедру материаловедения полупроводников с которой была связана вся его дальнейшая трудовая жизнь, и здесь он прошел путь от аспиранта до заведующего кафедрой. А.А. Галаев был крупным ученым, работы которого внесли значительный вклад в развитие материаловедения полупроводников. Его научные интересы лежали в области материаловедения поверхности и поверхностных слоев полупроводников и в области материаловедения приборных структур. В 1960-х — 1970-х гг. им совместно с коллегами был выполнен цикл экспериментальных работ (в том числе с использованием дифракции медленных электронов) по исследованию строения химических связей на поверхностях алмазо-подобных фаз. Результаты исследования по строению полярных поверхностей ряда соединений типа АIIIВV вошли в учебную литературу. Важные и интересные результаты были получены А.А. Галаевым в области строения и свойств приборных структур, в том числе варикапов. За работу по варикапам А.А. Галаев и сотрудники ряда организаций были отмечены в 1990 г. премией Совета Министров СССР.

С 2025 года заведующим кафедрой является к.ф.-м.н., PhD, с.н.с., заведующий лабораторией физики оксидных сегнетоэлектриков Дмитрий Александрович Киселев.