Принципы формирования анизотропной структуры термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы для оптимизации их функциональных характеристик
Лаврентьев Михаил Геннадьевич
Специальность: 1.3.11 Физика полупроводников
Искомая ученая степень:
кандидат физико-математических наук
Дата и время защиты:
20.02.2023 15:00
Место защиты:
НИТУ МИСИС А-305
Текст диссертации01.12.2022
Материалы:
Протокол приема диссертации к защите12.12.2022
Объявление о защите12.12.2022
Текст автореферата диссертации12.12.2022
Отзыв научного руководителя12.12.2022
Отзывы, поступившие на работу17.02.2023
Протокол заседания Экспертной комиссии20.02.2023
Заключение Экспертной комиссии20.02.2023
Протокол о присуждении степени20.03.2023
Диссертации по специальности
«Физика полупроводников»:
