Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Ректор Алевтина Черникова на форуме «Три миссии российского образования»
Объектив микроскопа направлен на графен на подложке
Советы психолога: скоро я закончу школу, как побороть страх перед будущим?
Учёные представили эффективный способ переработки отходов аддитивного производства