Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
к.т.н. Игорь Щетинин, заведующий лабораторией «Многофункциональные магнитные наноматериалы» НИТУ МИСИС
Как креативные индустрии становятся частью технологической экономики
23 проекта НИТУ МИСИС поддержаны грантами Российского научного фонда
Аспирант кафедры физического материаловедения НИТУ МИСИС Артём Король