Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Фасад НИТУ МИСИС
В НИТУ МИСИС обсудили, как защитить молодёжь от киберпреступников
Преобразовать углекислый газ в топливо поможет новый катализатор
Ученые кафедры физического материаловедения МИСИС