Top.Mail.Ru

В НИТУ МИСИС создали широкозонный полупроводник с «дырочной» проводимостью

Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.

Открытка с новогодним шаромОткрытка с новогодним шаром
Сцена конкурса профессионального мастерства «Человек года». Алевтина Черникова и Сергей НикулинСцена конкурса профессионального мастерства «Человек года». Алевтина Черникова и Сергей Никулин