Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Выпускники подбрасывают конфедератки на выпускном МИСИС 2026
Кубитный курьер: учёные решили главную проблему масштабирования квантовых процессоров на нейтральных атомах
Университет МИСИС — в Национальном рейтинге университетов