Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
НИТУ МИСИС принял участие в Российско-вьетнамском научно-технологическом форуме
Тканевый инженер: когда здоровье становится инженерной задачей
Кто ты без гидрокостюма? Чемпион по зимнему плаванию, инженер, филантроп и будущий учёный