Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Поздравление ректора с Днём знаний!1 сентября
Университет МИСИС и Самаркандский ГМУ развивают сотрудничество в области биомедицины
Новый фильтр для рентген-аппаратов снизит лучевую нагрузку на пациентов
Квантовый инженер: путь в высокие технологии через физику