Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
- Студенты НИТУ МИСИС создали прототип системы упрощения процедуры закупок
- В НИТУ МИСИС создали широкозонный полупроводник с «дырочной» проводимостью
- Университет МИСИС презентовал цифровую платформу для поиска индустриальных партнеров