Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
В НИТУ МИСИС открылась магистратура «Разработка ИИ-систем (R&D)»
45 студентов НИТУ МИСИС — призёры олимпиады «Я — профессионал»
Стать профи в промышленном дизайне поможет новая магистратура НИТУ МИСИС