Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Цифровой лингвист: как искусственный интеллект меняет профессию переводчика
Команда МИСИС на хакатоне
В НИТУ МИСИС разработали сверхупругий пористый материал для имплантатов нового поколения
Хакатон Alif Academy