Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Фасад НИТУ МИСИС
Екатерина Прусакова, Ольга Семина и Анастасия Овечкина
От лаборатории до производства: как передовая инженерная школа МИСИС готовит кадры для новой промышленности
Учёные выяснили, как исходная структура сплава с памятью формы влияет на его свойства