Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Александр Зайцев и Павел Логинов
Техногенные отходы становятся стратегическим ресурсом для металлургии
к.т.н. Игорь Щетинин, заведующий лабораторией «Многофункциональные магнитные наноматериалы» НИТУ МИСИС
Как креативные индустрии становятся частью технологической экономики