Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
«Металлообработка — 2026»
Открытие техноковоркинга Альфа-Банка
Онлайн-аптеки, биотехнологии и кадровый голод: фармацевтика ждёт нового типа менеджеров
Вадим Ковалюк, к.ф.-м.н., заведующий лабораторией фотонных газовых сенсоров