Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
- Студенты НИТУ МИСИС создали прототип системы упрощения процедуры закупок
- В НИТУ МИСИС создали широкозонный полупроводник с «дырочной» проводимостью
- Университет МИСИС презентовал цифровую платформу для поиска индустриальных партнеров
Физика квантовой материи: от теории к практикесегодня, в 13:00
В НИТУ МИСИС поздравили 29 молодых кандидатов науксегодня, в 12:00
Герой России Олег Кононенко встретился со студентами НИТУ МИСИС
Магнитный беспорядок: учёные выяснили, что нарушает квантовые состояния в сверхпроводниковых устройствах