Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Тренинги предпринимательских компетенций для студентов «Визионеры»
Марина Нежурина
НИТУ МИСИС стал первой точкой научно-популярного маршрута по передовым инженерным школам
В список самых цитируемых учёных мира вошли 16 исследователей НИТУ МИСИС