Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
IV Всероссийский форум руководителей финансово-экономических служб образовательных организаций высшего образования и научных организаций
Представители Университета Куруканфаго с МИСИС
Мобильная и веб-разработка: профессия для тех, кто хочет создавать цифровые продукты будущего
Ректор МИСИС Алевтина Черникова на выставке технологических проектов вузов с главами министерств и членами Правительства РФ