Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
К.т.н. Андрей Поздняков, доцент кафедры металловедения цветных металлов НИТУ МИСИС
к.т.н. Андрей Базлов, доцент кафедры металловедения цветных металлов НИТУ МИСИС