Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
НИТУ МИСИС — на MiningWorld Russia 2026
к.т.н., заместитель директора Горного института Василий Ческидов
Университет МИСИС расширяет сотрудничество с Центральной Азией
Работа установки искрового плазменного спекания