Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Технология нанесения на имплантаты и протезы покрытий из коллагена
Представители НИТУ МИСИС на SHS-2026
Не только формулы: как химик-технолог внедряет инновации в промышленность
Вручение стипендии имени Андрея Варичева