Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Инфографика. Источник: Shutterstock
Фасад здания НИТУ МИСИС и брендированный баннер
Процесс синтеза нового катализатора в лаборатории НИТУ МИСИС
279 студентов НИТУ МИСИС прошли в полуфинал олимпиады «Я — профессионал»