Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
От атомов до цифрового двойника: в НИТУ МИСИС стартовала новая магистратура по материаловедению
Выступление на сцене
Денис Кравченко на сцене