Технология создания квазиодномерных наноструктур с регулируемым продольным потенциальным рельефом
Степушкин Михаил Владимирович
Специальность: 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Искомая ученая степень:
кандидат технических наук
Дата и время защиты:
23.12.2019 16:00
Место защиты:
НИТУ МИСИС, А-305
Текст диссертации09.10.2019
Материалы:
Протокол приема диссертации к защите14.10.2019
Объявление о защите14.10.2019
Текст автореферата диссертации14.10.2019
Отзыв научного руководителя14.10.2019
Отзыв ведущей организации02.12.2019
Отзывы, поступившие на работу20.12.2019
Протокол заседания Экспертной комиссии23.12.2019
«Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»: