Технология создания квазиодномерных наноструктур с регулируемым продольным потенциальным рельефом
Степушкин Михаил Владимирович
Специальность: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Искомая ученая степень:
кандидат технических наук
Дата и время защиты:
23.12.2019 16:00
Место защиты:
НИТУ «МИСиС», А-305
Текст диссертации (19 МБ)09.10.2019
Материалы:
Протокол приема диссертации к защите (1 МБ)14.10.2019
Объявление о защите (201 КБ)14.10.2019
Текст автореферата диссертации (3 МБ)14.10.2019
Отзыв научного руководителя (1 МБ)14.10.2019
Отзыв ведущей организации (5 МБ)02.12.2019
Сведения о членах Экспертной комиссии и ведущей организации (8 МБ)14.10.2019
Отзывы, поступившие на работу (2 МБ)20.12.2019
Протокол заседания Экспертной комиссии (4 МБ)23.12.2019
Приказ о выдаче диплома об ученой степени (992 КБ)13.03.2020
Диссертации по специальности
«Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»:
