Технология создания квазиодномерных наноструктур с регулируемым продольным потенциальным рельефом

Степушкин Михаил Владимирович

Специальность: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Искомая ученая степень:
кандидат технических наук
Дата и время защиты:
23.12.2019 16:00
Место защиты:
НИТУ «МИСиС», А-305

Диссертации по специальности
«Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»: