Наноэлектроника и оптоэлектронные приборы

Овладейте передовыми знаниями в разработке и производстве высокотехнологичных устройств. Очное обучение по программе «Наноэлектроника и оптоэлектронные приборы» охватывает проектирование, конструирование и тестирование, готовя выпускников к успешной карьере в наноэлектронике, включая роли инженера-технолога, ведущего инженера и руководителя производственных и исследовательских подразделений.

Срок обучения на треке составляет 5 лет.

Экскурсии для школьников в Университет МИСИС

Руководитель трека

Сергей Иванович Диденко

К.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

+7 499 237-21-29
didenko@misis.ru

50+
видов стипендий для «бюджетников» и «платников»
30+
наименований в списке индивидуальных достижений

О треке «Наноэлектроника и оптоэлектронные приборы»

Какие дисциплины я буду изучать?

  • Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники
  • Метрология, стандартизация и технические измерения в полупроводниковой электронике
  • Биполярные полупроводниковые приборы
  • Дефекты в оптоэлектронных полупроводниковых приборах на широкозонных материалах
  • Основы технологии электронной компонентной базы
  • Полевые полупроводниковые приборы
  • Приемники оптического излучения
  • Физико-математические модели процессов наноэлектроники
  • Квантоворазмерные структуры в наноэлектронике
  • Основы надежности элементной базы электроники в условиях ионизирующего излучения космического пространства
  • Основы радиационной стойкости изделий электронной техники
  • Приборы квантовой и оптической электроники
  • Технология и оборудование наногетероструктур
  • Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур
  • Моделирование процессов и устройств полупроводниковой электроники
  • Перспективная фотовольтаика
  • Приборные структуры на некристаллических материалах

Чему я научусь?

  • Осваивать технологический процесс производства оптоэлектронных приборов;
  • Измерять и анализировать основные характеристики оптоэлектронных полупроводниковых приборов.

Кем я буду работать?

  • Инженером-технологом
  • Инженером-технологом по производству изделий микроэлектроники
  • Инженером-электронщиком

Где я буду проходить практику?

Студенты программы смогут проходить практику в сферах электроники, наноэлектроники, проектирования и технологий электронной компонентной базы. Практика будет организована на ведущих предприятиях, таких как Росэлектроника, Росатом, Роскосмос, а также в институтах и научно-производственных объединениях РАН.

Какие исследования я буду проводить?

Студенты бакалавриата будут участвовать в разработке оптоэлектронных приборов, создании и тестировании новых устройств и методов их исследования, а также в проектировании и конструировании технологических процессов для производства изделий электроники и наноэлектроники.

Что меня ждет после выпуска?

Получив диплом бакалавра вы сможете продолжить обучение в магистратуре, а также начать успешную карьеру по следующим направлениям: инженер-технолог, ведущий инженер, руководитель производства, руководитель подразделений (служб) научно-технического развития, руководитель подразделений по научным исследованиям и разработкам.

Сколько я буду зарабатывать после выпуска?

80 000 — 100 000 ₽

Уточните на Headhunter за 1 минуту

Преподаватели

Михаил Павлович Коновалов

Доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Научная деятельность: физика полупроводников, физика и технология силовых полупроводниковых приборов, исследование радиационных воздействий на изделия электронной техники.

+7 499 237-21-29
konovalov.mp@misis.ru

Андрей Александрович Лебедев

Старший преподаватель кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Грамоты и дипломы за участие в конференциях и стипендиальных программах, курсах повышения квалификации, в 2016, 2019, 2023 гг. награжден медалями «Н.С. Лидоренко», «В.Н. Челомей», «С.П. Королёв» соответственно.

+7 499 237-21-29
lebedev.aa@misis.ru

Сергей Юрьевич Юрчук

К.ф.-м.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Образование: Московский институт стали и сплавов (сейчас — НИТУ МИСИС), кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников. Область научных интересов: физика полупроводниковых соединений AIIIBV, технология полупроводниковых приборов, моделирование технологических процессов и полупроводниковых приборов, автоматизация физического эксперимента.

+7 499 237-21-29
yurchuk.sy@misis.ru

Светлана Петровна Кобелева

К.ф.-м.н., с.н.с., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Область научных интересов: физика полупроводников, полупроводниковая метрология. Значимые исследовательские проекты посвящены таким темам, как: композитные мультиферроики на основе бидоменных сегнетоэлектриков; многокаскадные солнечные батареи; радиационные дефекты в кремнии; диффузия примесей в германии; рекомбинационное время жизни СНЗ; СТД в соединениях А2В6. В 2010 году награждена Почетной грамотой Министерства науки и высшего образования РФ.

+7 495 955-01-50
kob@misis.ru

Константин Иванович Таперо

Д.т.н., с.н.с., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, заместитель гендиректора по науке и инновациям АО «Научно-исследовательский институт приборов» (ГК «Росатом»)

Область научных интересов: взаимодействие ионизирующих излучений с веществом, радиационные эффекты в материалах и изделиях электронной техники, проектирование радиационно-стойких изделий микроэлектроники и фотоники, методическое обеспечение радиационных и надежностных испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры, разработка полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений. Более 160 научных работ, включая 6 монографий и 4 учебных пособия. Главный редактор научно-технического сборника «Вопросы атомной науки и техники. Серия: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру».

tapero.ki@misis.ru

Иван Васильевич Щемеров

К.т.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Ведущий инженер проекта «Широкозонные материалы и приборы». Руководитель проектов, посвящённых исследованию замедленной релаксации фотоиндуцированного тока в оксиде галлия. Основные направления деятельности: электроника и микроэлектроника, характеризация полупроводниковых материалов и приборов, программирование.

+7 495 955-01-50
schemerov.iv@misis.ru

Александр Валентинович Паничкин

К.т.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, инженер электронной техники

Работа в области радиационной и лучевой физики и технологии электронных структур, исследование свойств оптоэлектронных приборов.

panichkin.av@misis.ru

Марина Николаевна Орлова

К.т.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, инженер электронной техники

Работа в области микросхемотехники электронной компонентной базы. В 2023 году получила награду Минобрнауки РФ «За значительный вклад в развитие сферы образования».

+7 499 237-21-29
orlova.mn@misis.ru

Сергей Иванович Диденко

К.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Разработка и исследование детекторов частиц и фотонов, солнечных элементов на широкозонных материалах (GaAs, алмаз, перовскит). Проекты в рамках ФЦП, госзадания, РНФ, 220 Постановления Правительства РФ. Золотая медаль международной торговой выставки iENA-2019 (г. Нюрнберг) за изобретение «Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами». Серебряная медаль Московского международного салона изобретений и инновационных технологий «Архимед 2021» за изобретение «Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов».

+7 499 237-21-29
didenko@misis.ru

Показать всех преподавателей Скрыть
Другие треки подготовки

Материалы и технологии магнитоэлектроники

Хотите научиться получать магнитные материалы и познать природу магнетизма?

Обучение на образовательном треке позволит вам стать востребованным специалистом для электронной промышленности. Ваша работа будет связана с разработкой материалов и приборов для магнитоэлектроники, а также с производством, использующим нано-, ресурсо- и энергосберегающие технологии. Во время обучения вы будете работать на новейшем исследовательском оборудовании в таких лабораториях кафедры, как «Лаборатория физики магнитных материалов», «Лаборатория СВЧ-методов исследования магнитных материалов», «Лаборатория наноматериалов», «Лаборатория технологии материалов электроники». А после выпуска сможете сделать карьеру на предприятиях электронной промышленности и в научных центрах.

Наши специалисты уже 60 лет занимаются исследованиями материалов и технологий магнитоэлектроники и являются авторами изобретений и ноу-хау, получателями медалей и наград. Наша кафедра признана одной из 6 лучших кафедр университета.

Полупроводниковые оптоэлектронные приборы на новых материалах

Интересуетесь микро- и наноэлектроникой? Хотите знать, как работают полупроводниковые приборы, диоды и транзисторы? Не побоитесь участвовать в стратегических научных проектах по модернизации национальной инфраструктуры?

Особенность трека — фокус на изучении дискретных полупроводниковых приборов специального назначения. Вы будете заниматься производством высокотехнологичных компонентов электронной аппаратуры, таких как СВЧ-устройства, элементы силовой электроники и радиационно-стойкие приборы. Вас будут учить преподаватели и эксперты не только НИТУ МИСИС, но и других ведущих научных и производственных организаций: АО «НИИП», ИПТМ РАН, АО «НПП «Квант», АО «НПП Пульсар», Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience. После выпуска вы сможете работать на предприятиях электронной промышленности специалистами по разработке и сопровождению технологических процессов производства полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники.

Материалы и технологии магнитоэлектроники и магноники

Обучение на образовательном треке позволит вам стать специалистом по производству материалов микро- и наноэлектроники. Особенность трека — фокус на изучении технологий для получения микро- и наноразмерных пленок и гетерокомпозиций.

Вы будете работать на уникальном научном оборудовании кафедры под руководством выдающихся ученых — авторов изобретений, патентов и ноу-хау. Наша кафедра признана одной из 6 лучших кафедр университета и занимает 1-е место цитируемости публикаций ученых. После выпуска вы сможете работать на лучших предприятиях электронной отрасли, в отраслевых и академических НИИ.

Оптоэлектронные полупроводниковые приборы

Хотите стать специалистом по фотодиодным структурам, детекторам излучений и солнечным батареям? Научиться проектировать оптоэлектронные полупроводниковые приборы и разрабатывать устройства на их основе?

На этом треке вы изучите радиационно-лучевую физику, материалы и приборы твердотельной электроники, наноразмерные объекты и свойства наноструктур. Научитесь использовать полупроводники и приборные структуры для напыления тонких пленок в вакууме, ионной имплантации, лучевой обработки, фотонного и лазерного отжига. Будете самостоятельно проводить экспериментальные исследования по заказу предприятий электронной промышленности. Сможете использовать вычислительные мощности и современное оборудование лабораторий и научных центров НИТУ МИСИС, включая кафедральный ускоритель тяжелых ионов.