Оптоэлектронные полупроводниковые приборы

Хотите стать специалистом по фотодиодным структурам, детекторам излучений и солнечным батареям? Научиться проектировать оптоэлектронные полупроводниковые приборы и разрабатывать устройства на их основе?

На этом треке вы изучите радиационно-лучевую физику, материалы и приборы твердотельной электроники, наноразмерные объекты и свойства наноструктур. Научитесь использовать полупроводники и приборные структуры для напыления тонких пленок в вакууме, ионной имплантации, лучевой обработки, фотонного и лазерного отжига. Будете самостоятельно проводить экспериментальные исследования по заказу предприятий электронной промышленности. Сможете использовать вычислительные мощности и современное оборудование лабораторий и научных центров НИТУ МИСИС, включая кафедральный ускоритель тяжелых ионов.

Экскурсии для школьников в Университет МИСИС

Руководитель трека

Сергей Иванович Диденко

К.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

+7 499 237-21-29
didenko@misis.ru

50+
видов стипендий для «бюджетников» и «платников»
30+
наименований в списке индивидуальных достижений

О треке «Оптоэлектронные полупроводниковые приборы »

Какие дисциплины я буду изучать?

  • Биполярные полупроводниковые приборы

  • Дефекты в оптоэлектронных полупроводниковых приборах на широкозонных материалах

  • Квантоворазмерные структуры в наноэлектронике

  • Основы радиационной стойкости изделий электронной техники

  • Основы технологии электронной компонентной базы

  • Полевые полупроводниковые приборы

  • Приемники оптического излучения

  • Светоизлучающие полупроводниковые приборы

  • Физико-математические модели процессов наноэлектроники

Чему я научусь?

  • Производить оптоэлектронные полупроводниковые приборы

  • Сопровождать разработку электронной компонентной базы

  • Применять методы математического анализа, моделирования, оптимизации и статистики для решения практических задач

Кем я буду работать?

  • инженером-технологом по производству изделий микроэлектроники и наноэлектроники

  • инженером-исследователем

  • инженером-электроником

  • инженером-конструктором изделий электронной техники

  • ведущим инженером

Где я буду проходить практику?

Вы будете проходить практику в компаниях-партнерах кафедры.

Какие исследования я буду проводить?

Вы сможете участвовать в создании радиационно-стойких GaAs-детекторов, новых технологий преобразования солнечной энергии; разрабатывать технологии и аппаратуру для получения сверхчистых монокристаллов алмаза CVD; проектировать технологии оптоэлектронных полупроводниковых приборов и устройства на их основе.

Что меня ждет после выпуска?

После выпуска вы сможете сразу устроиться на работу или продолжить обучение в магистратуре по специальности. Наши выпускники работают на производственных предприятиях и в организациях по производству и разработке электронной компонентной базы.

Сколько я буду зарабатывать после выпуска?

85 000 — 120 000 ₽

Уточните на Headhunter за 1 минуту

Преподаватели

Александр Яковлевич Поляков

К.т.н., профессор кафедры ППЭ и ФПП, заведующий лабораторией «Ультраширокозонные полупроводники»

Окончил МИСиС в 1973 году, работал в НИИПФ (1973-1982 гг.), Гиредмет (1982-2014 гг.), к.т.н. с 1983 г. Стажировки в Университете Карнеги-Меллон (США) в 1990-1992, 1995-1997, 2003-2005 гг., Бостонском университете в 2000 г., в Университете Чонбук (Корея) — в 2011-2012 гг. и 2013-2014 гг. В НИТУ МИСиС с 2014 г. Направление исследований — широкозонные материалы и приборы на их основе.

+7 495 237-21-29
poliakov.ai@misis.ru

Константин Иванович Таперо

Д.т.н., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, ген. директор АО «НИИП»

Проекты, связанные с исследованиями и моделированием надежности электронной компонентной базы в условиях ионизирующего излучения космического пространства.

tapero.ki@misis.ru

Евгений Борисович Якимов

Д.ф.-м.н., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Область научных интересов: полупроводники, физика дефектов, растровая электронная микроскопия.

+7 499 237-21-29
yakimov.eb@misis.ru

Наргиза Тухтамышевна Вагапова

К.х.н., доцент кафедры полупроводниковой электроники и физики полупроводников, начальник отдела АО «НПП «Квант»

Проекты, связанные с фотовольтаикой, энергообеспечением космических аппаратов.

+7 495 602-91-26
vagapova.nt@misis.ru

Данила Сергеевич Саранин

К.т.н., ст. преподаватель, заместитель заведующего лабораторией перспективной солнечной энергетики, действующей в рамках стратегического проекта «Материалы будущего» программы «Приоритет 2030»

Проекты, связанные с перовскитной оптоэлектроникой.

saranin.ds@misis.ru

Андрей Игоревич Голутвин

Д. ф.-м. н., профессор, главный научный сотрудник Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience

Область научных интересов: физика элементарных частиц, физика детекторов, В-физика, физика высоких энергий.

golutvin.ai@misis.ru

Иван Васильевич Щемеров

К.т.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Область научных интересов: полупроводники; математическое моделирование физических процессов; измерительные системы.

+7 495 955-01-50
schemerov.iv@misis.ru

Показать всех преподавателей Скрыть

Галерея

Другие треки подготовки

Материалы и технологии магнитоэлектроники

Хотите научиться получать магнитные материалы и познать природу магнетизма?

Обучение на образовательном треке позволит вам стать востребованным специалистом для электронной промышленности. Ваша работа будет связана с разработкой материалов и приборов для магнитоэлектроники, а также с производством, использующим нано-, ресурсо- и энергосберегающие технологии. Во время обучения вы будете работать на новейшем исследовательском оборудовании в таких лабораториях кафедры, как «Лаборатория физики магнитных материалов», «Лаборатория СВЧ-методов исследования магнитных материалов», «Лаборатория наноматериалов», «Лаборатория технологии материалов электроники». А после выпуска сможете сделать карьеру на предприятиях электронной промышленности и в научных центрах.

Наши специалисты уже 60 лет занимаются исследованиями материалов и технологий магнитоэлектроники и являются авторами изобретений и ноу-хау, получателями медалей и наград. Наша кафедра признана одной из 6 лучших кафедр университета.

Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники

Интересуетесь микро- и наноэлектроникой? Хотите знать, как работают полупроводниковые приборы, диоды и транзисторы? Не побоитесь участвовать в стратегических научных проектах по модернизации национальной инфраструктуры?

Особенность трека — фокус на изучении дискретных полупроводниковых приборов специального назначения. Вы будете заниматься производством высокотехнологичных компонентов электронной аппаратуры, таких как СВЧ-устройства, элементы силовой электроники и радиационно-стойкие приборы. Вас будут учить преподаватели и эксперты не только НИТУ МИСИС, но и других ведущих научных и производственных организаций: АО «НИИП», ИПТМ РАН, АО «НПП «Квант», АО «НПП Пульсар», Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience. После выпуска вы сможете работать на предприятиях электронной промышленности специалистами по разработке и сопровождению технологических процессов производства полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники.

Технологии микро- и наноэлектроники

Обучение на образовательном треке позволит вам стать специалистом по производству материалов микро- и наноэлектроники. Особенность трека — фокус на изучении технологий для получения микро- и наноразмерных пленок и гетерокомпозиций.

Вы будете работать на уникальном научном оборудовании кафедры под руководством выдающихся ученых — авторов изобретений, патентов и ноу-хау. Наша кафедра признана одной из 6 лучших кафедр университета и занимает 1-е место цитируемости публикаций ученых. После выпуска вы сможете работать на лучших предприятиях электронной отрасли, в отраслевых и академических НИИ.