Современная электроника определяет развитие связи, медицины, промышленности, искусственного интеллекта и высокотехнологичного производства. Программа специализированного высшего образования «Материалы и технологии современной электроники» готовит специалистов в области исследования и разработки новых материалов микро- и наноэлектроники, а также технологий их получения. Студенты получают глубокие знания в области физики полупроводников и диэлектриков, основ магнетизма и физики магнитных материалов. Выпускники умеют создавать, исследовать и улучшать современные материалы, используемые в радиотехнике и электронике: ферриты-гранаты, ферриты-шпинели и другие виды магнитных материалов на макро-, микро- и наноуровне. Специалисты этого профиля также разрабатывают новые технологии для получения этих материалов. Такие специалисты востребованы в ведущих российских и международных научно-исследовательских организациях, высокотехнологичных компаниях, центральных заводских лабораториях.
Программа позволяет получать глубокие знания в области микро-, нано- и объемных магнитных и полупроводниковых материалов для СВЧ-электроники и магноники, а также компонентов и приборов на их основе.
Многотрековая программа
В зависимости от исследовательских и профессиональных интересов студенты могут выбрать один из двух образовательных треков:
Трек «Материалы и технологии твердотельной магнитоэлектроники» готовит высококвалифицированных специалистов в области магнитных материалов и технологий их получения. Выпускники умеют работать с ферритами всех типов и аморфными магнитными материалами. Эти материалы используются в радиотехнике, магнитоэлектронике, СВЧ-электронике и магнонике: в устройствах управления световыми пучками, поглощения электромагнитных волн и передачи информации.
Трек «Технологии твердотельной микро- инаноэлектроники» готовит высококвалифицированных специалистов в области микро-, нано- и объемных материалов для полупроводниковой микро- и наноэлектроники и технологий их получения. Это традиционные полупроводниковые материалы — кремний и германий, — а также двойные и тройные полупроводники. Студенты осваивают как традиционные полупроводниковые технологии, так и новые принципы создания материалов для радиофотоники, микро- и наноэлектроники. Выпускники умеют наносить, удалять и модифицировать вещества на микро- и наноуровне. Эти навыки необходимы для разработки компонентов твердотельной электроники и интегральных микросхем.
Практические навыки научной работы
Программа уделяет особое внимание развитию у студентов навыков проведения исследований. Уже с первых недель обучения половина учебного времени отводится на проведение научно-исследовательской работы в лабораториях кафедры. Студенты изучают самые современные материалы электроники, участвуют в разработке и совершенствовании технологий их получения. Обучающиеся выступают с научными докладами на студенческих, отраслевых и общероссийских научных конференциях, публикуют статьи в отечественных и зарубежных научных журналах.
Востребованность выпускников
Сегодня растет потребность в инженерных кадрах на предприятиях Росэлектроники и отраслевых НИИ. Выпускники программы «Материалы и технологии современной электроники» получат базу для эффективного карьерного роста и смогут претендовать на высокооплачиваемые должности в индустрии материалов, элементов и приборов электроники.
Возможность совмещения учебы и работы
Образовательная программа позволяет сочетать работу на предприятии, в НИИ или лаборатории с обучением. Студент может выполнить часть или всю свою научно-исследовательскую работу, а также выпускную квалификационную работу по месту трудоустройства и в рамках своих должностных обязанностей.
Инфраструктура для исследования
Студенты программы «Материалы и технологии современной электроники» проводят исследования на оборудовании лабораторий кафедры технологий материалов электроники, Центра коллективного пользования НИТУ МИСИС и партнеров университета — Института общей и неорганической химии РАН и АО «НПП «Исток им. Шокина».
Дисциплины программы
17
дисциплин в области электроники, наноэлектроники и компонентной базы
Ключевые общие дисциплины:
Методы математического моделирования
История и методология науки и техники в области электроники
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники
Компьютерные технологии в научных исследованиях
Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур
Ключевые дисциплины по выбору:
Для трека «Материалы и технологии твердотельной магнитоэлектроники»:
Специальные вопросы физики магнитных явлений в конденсированных средах
Магнитные наносистемы, наноматериалы и нанотехнологии
Мессбауэровская спектроскопия материалов магнитоэлектроники и микросистемной техники
Термодинамика ферритов
Технологии материалов для радиопоглощения и электромагнитного экранирования
Физика и техника магнитной записи
Материалы и элементы спинтроники и спинволновой электроники
Для трека «Технологии твердотельной микро- и наноэлектроники»
Термодинамика и микротехнология многокомпонентных гетероструктур
Конструирование светоизлучающих устройств
Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии
Радиационно-технологические процессы в электронике
Неразрушающие методы контроля процессов формирования гетерокомпозиций
Элионная технология в микро- и наноиндустрии
Высоковакуумное оборудование в наноэлектронике
Приборы и устройства на основе наносистем
Практические навыки
Трек «Материалы и технологии твердотельной магнитоэлектроники»:
Рассчитывать основные магнитные характеристики материала в зависимости от его химического состава и структуры
Рассчитывать шихту для получения магнитного материала с заданными характеристиками
Выбирать магнитные материалы для получения на их основе приборов магнитоэлектроники с требующимися эксплуатационными характеристиками
Получать поликристаллические ферриты необходимого состава
Измерять магнитные свойства магнетиков
Проводить фазовый анализ вещества с помощью мессбауэровской спектроскопии
Определять фазовый состав вещества методом рентгено-фазового анализа
Применять методы магнито-силовой и атомно-силовой микроскопии магнетиков
Трек «Технологии твердотельной микро- и наноэлектроники»:
Работать с высоковакуумным оборудованием
Рассчитывать светоизлучающие устройства
Применять методы неразрушающего контроля гетерокомпозиций на каждой стадии их формирования
Определять фазовый состав вещества методом рентгено-фазового анализа
Применять методы атомно-силовой микроскопии полупроводниковых, металлических и диэлектрических материалов
Проводить электрофизические исследования полупроводниковых материалов
Владение методами нанесения тонких и наноразмерных полупроводниковых, диэлектрических и металлических пленок для реализации технологических операций микро- и наноэлектроники
Д.ф.-м.н., профессор, заведующий кафедрой технологии материалов электроники, действительный член Академии инженерных наук РФ
Автор свыше 450 публикаций в рецензируемых журналах, в том числе 184 индексируемых Scopus. Автор свыше 70 патентов. Индекс Хирша (Scopus и WoS) — 39. Научные интересы: физика и технологии ферритовых материалов. Руководитель 11 НИР на общую сумму свыше 150 млн рублей. Развил на кафедре такие научные направления, как: «радиационно-термическое спекание ферритовой керамики», «радиопоглощающие ферриты и композиты на их основе», «мультиферроидная керамика». Заместитель главного редактора научного журнала «Известия вузов. Материалы электронной техники», заведующий секцией «физические методы исследования структуры и свойств» редколлегии научного журнала «Заводская лаборатория. Диагностика материалов», член редколлегий научных журналов Modern Electronics и Materials Technology Reports.
Д.т.н., профессор кафедры технологии материалов электроники
Автор свыше 80 публикаций в рецензируемых научных журналах. Индекс Хирша — 15. Научные интересы: металлоуглеродные композитные наноматериалы и синтез наноматериалов и гетероструктур.
Д.х.н., профессор кафедры технологии материалов электроники, руководитель УНЦ «Физико-химические основы технологии материалов твердотельной электроники» (ИОНХ РАН-кафедра ТМЭ)
Автор свыше 430 публикаций в рецензируемых научных журналах. Индекс Хирша — 23. Научные интересы: материаловедение полупроводников и ферромагнетиков.
К.т.н., доцент кафедры технологии материалов электроники
Автор 22 публикаций в рецензируемых научных журналах. Индекс Хирша — 3. Научные интересы: физико-химия взаимодействия энергетических ускоренных частиц с твердым телом, ионно-плазменные процессы получения тонких пленок, ионно-электронная эмиссия, вторичная электронная эмиссия.
К.т.н., доцент кафедры технологии материалов электроники
Автор свыше 80 публикаций в рецензируемых научных журналах. Индекс Хирша — 11. Научные интересы: синтез наноматериалов, углеродные микро- и мезопористые материалы с развитой поверхностью, металл-углеродные и металл-полимерные нанокомпозиты, радиопоглощающие материалы, материалы для автономных источников энергии, катализаторы для нефтехимических технологий.
К.х.н., доцент кафедры технологии материалов электроники
Автор свыше 60 публикаций в рецензируемых научных журналах. Индекс Хирша — 9. Научные интересы: химия железа в высших степенях окисления, мессбауэровская спектроскопия.
К.т.н., доцент кафедры технологии материалов электроники
Автор 65 публикаций в рецензируемых научных журналах. Индекс Хирша — 10. Научные интересы: магнитные наноматериалы и их природа; технологии получения магнитных наноразмерных частиц; композиционные материалы на основе ферритов.
Уже во время обучения студенты начинают строить исследовательскую карьеру в сфере производства материалов и элементов радиоэлектроники, СВЧ-электроники, магноники, радио- и электронного машиностроения. По окончании обучения вы получите квалификацию «Специалист по научно-исследовательским разработкам в области электроники» и сможете работать в академических организациях или в НИОКР-отделах крупных компаний материаловедческого профиля. Выпускники программы занимают высокие позиции в НИИ и лабораториях Академии наук, на производственных предприятиях Росэлектроники и военно-промышленного комплекса России, в высокотехнологичных компаниях.
Осваиваемые профессии
Инженер
Инженер научного проекта
Мастер производственного участка
Инженер-технолог
Инженер-конструктор
Ответы на вопросы
Подать документы* на поступление можно несколькими способами:
Прийти в Университет МИСИС. Контакты приемной комиссии по ссылке.
Пошаговый алгоритм поступления можно посмотреть здесь.
*Приём документов начинается с 20 июня.
Да, на программы специализированного высшего образования можно поступить, окончив бакалавриат, специалитет или программы уровня «Базовое высшее образование» обновленной модели. Подойдет диплом любого вуза.
Актуальные программы вступительных испытаний по ссылке. Также вы можете поступить без экзаменов по конкурсу проектных работ имени академика А. А. Бочвара.
Посмотреть полный список достижений, за которые начисляют дополнительные баллы, можно здесь.
Да, на программы специализированного высшего образования можно поступить, окончив бакалавриат, специалитет или программы уровня «Базовое высшее образование» обновленной модели. Подойдет диплом любого вуза.
Получить социальный налоговый вычет может заказчик по договору. Ознакомиться с подробной информацией можно на странице в разделе «Информация о предоставлении налогового вычета».
На проживание в общежитии могут рассчитывать все иногородние студенты*, в том числе, поступившие на платные места.
* студенты, прописанные в других государствах, субъектах Российской Федерации, а также жители дальнего Подмосковья.
Да, на программы специализированного высшего образования можно поступить, окончив бакалавриат, специалитет или программы уровня «Базовое высшее образование» обновленной модели. Подойдет диплом любого вуза.
При реализации настоящей образовательной программы есть возможность совмещать учебу с работой
выбор дисциплин с пометкой «по выбору» реализуется, исходя из пожеланий учащихся.
При реализации настоящей образовательной программы предусмотрены практики. Практики проходят на предприятиях электронной отрасли (Москва, Моск. обл.). В отдельных случаях практика студента может быть организована по месту работы студента, если должностные обязанности работающего студента соответствуют программе.
*Приём документов начинается с 20 июня.