Полупроводниковые преобразователи энергии

Программа ориентирована на получение знаний и навыков в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники и нанофотоники. Студенты магистратуры изучают полупроводниковые преобразователи электроэнергии, разрабатывают технологии zero-energy домов, работают над исследованиями в области космической фотоэнергетики, созданием светоизлучающих диодов, солнечных батарей, детекторов ядерных частиц и предлагают новые решения для преобразования энергии. Выпускники программы «Полупроводниковые преобразователи энергии» становятся учеными-исследователями, которые продолжают карьеру в науке на программах аспирантуры, занимаются внедрением приборов на основе полупроводниковых преобразователей энергии, работают с инновационными продуктами энергетической отрасли в ведущих российских и международных лабораториях бизнес-компаний.

2 года обучения

Очная форма обучения на русском языке

Институт новых материалов

Код направления 11.04.04
Электроника и наноэлектроника

Узнай количество бюджетных мест и платных мест

88

Проходной балл в 2023

Вступительные испытания и минимальные баллы:

Вступительное испытание по направлению подготовки — 40

Программа вступительного испытания

50+
видов стипендий для «бюджетников» и «платников»
30+
наименований в списке индивидуальных достижений

Приемная комиссия

Мария Александровна Баранова

Руководитель приемной комиссии

+7 495 638-46-78

+7 495 638-30-78

Адрес: г. Москва, Ленинский проспект, д. 4

vopros@misis.ru

Преимущества программы

Индивидуальная траектория обучения
Возможность совмещать работу и учебу
Практико-ориентированный подход
Инфраструктура для исследований

Дисциплины программы

20
предметов в области материаловедения, изучения оборудования и современных методов диагностики приборов для решения актуальных задач, связанных с изготовлением изделий из новых материалов

Компьютерные технологии в научных исследованиях

Проектирование и технология электронной компонентной базы

Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур

Приборные структуры на широкозонных полупроводниках

Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур

Приборные структуры на некристаллических материалах

И еще 7 дисциплин:

Преподаватели

Александр Яковлевич Поляков

К.т.н., профессор кафедры ППЭ и ФПП, заведующий лабораторией «Ультраширокозонные полупроводники»

Окончил МИСиС в 1973 году, работал в НИИПФ (1973-1982 гг.), Гиредмет (1982-2014 гг.), к.т.н. с 1983 г. Стажировки в Университете Карнеги-Меллон (США) в 1990-1992, 1995-1997, 2003-2005 гг., Бостонском университете в 2000 г., в Университете Чонбук (Корея) — в 2011-2012 гг. и 2013-2014 гг. В НИТУ МИСиС с 2014 г. Направление исследований — широкозонные материалы и приборы на их основе.

+7 495 237-21-29
poliakov.ai@misis.ru

Константин Иванович Таперо

Д.т.н., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, ген. директор АО «НИИП»

Проекты, связанные с исследованиями и моделированием надежности электронной компонентной базы в условиях ионизирующего излучения космического пространства.

tapero.ki@misis.ru

Наргиза Тухтамышевна Вагапова

К.х.н., доцент кафедры полупроводниковой электроники и физики полупроводников, начальник отдела АО «НПП «Квант»

Проекты, связанные с фотовольтаикой, энергообеспечением космических аппаратов.

+7 495 602-91-26
vagapova.nt@misis.ru

Данила Сергеевич Саранин

К.т.н., ст. преподаватель, заместитель заведующего лабораторией перспективной солнечной энергетики, действующей в рамках стратегического проекта «Материалы будущего» программы «Приоритет 2030»

Проекты, связанные с перовскитной оптоэлектроникой.

saranin.ds@misis.ru

Ирина Олеговна Якимова

Д.ф.-м.н., профессор, г.н.с. ИПТМ РАН

Проекты, связанные с материаловедением широкозонных полупроводников.

yakimov.eb@misis.ru

Светлана Петровна Кобелева

К.ф.-м.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, старший научный сотрудник

Проекты, связанные с физикой полупроводников, полупроводниковой метрологией.

+7 495 955-01-50
kob@misis.ru

Сергей Иванович Диденко

К.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Разработка и исследование детекторов частиц и фотонов, солнечных элементов на широкозонных материалах (GaAs, алмаз, перовскит).

+7 499 237-21-29
didenko@misis.ru

Показать всех преподавателей Скрыть

Возможности для студентов и трудоустройство

НИТУ МИСИС сотрудничает с ведущими компаниями и научно-исследовательскими организациями. Большинство выпускников продолжает заниматься научными исследованиями и поступает на программы аспирантуры или становится специалистами R&D технологических компаний и стартапов, проектировщиками инфраструктуры IoT и «умного» города.

Другие программы подготовки

Материалы и технологии магнитоэлектроники

Программа направлена на подготовку высококвалифицированных специалистов в области магнитоэлектроники, которые занимаются созданием, диагностикой и применением современных перспективных магнитных материалов и приборов на их основе. Студенты изучают основные классы магнитных материалов в макро- микро- и наноразмерном исполнении и технологии получения этих материалов. Среди объектов изучения — материалы, применяемые для магнитной записи информации, радиопоглощения и радиоэкранирования, гипертермии и адресной доставки лекарств, активных сред СВЧ-электроники, автоматики и телевизионной техники, IoT. Выпускники программы востребованы как в научно-исследовательских организациях, так и в высокотехнологичных компаниях в качестве инженеров-технологов и специалистов R&D департаментов.

Технологии микро- и наноэлектроники

Специалист в области микро- и наноэлектроники должен обладать глубокими знаниями в таких направлениях, как материаловедение и физика полупроводников, понимать физические основы технологических процессов создания новых материалов, обладать способностью к саморазвитию и быстрой адаптации. Магистранты участвуют в выполнении научно-исследовательских работ по математическому моделированию технологий получения новых материалов, оптимизации режимов технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, в разработке способов модифицирования компонентов твердотельной электроники и интегральных микросхем, а также методов технического контроля и испытания изделий. В рамках программы ведется подготовка специалистов для отраслевых и академических НИИ, производственных предприятий электронной отрасли, включая предприятия ВПК.

Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы

Магистерская программа готовит инженеров-разработчиков, технологов и аналитиков, востребованных на отечественном и мировом рынке производства оптоэлектронных приборов, таких как солнечные элементы, детекторы, светодиоды и фотоприемники, созданные на новых широкозонных материалах (GaN, Ga2O3, синтетический алмаз, перовскиты). Они используются в производстве солнечных панелей нового поколения, используемых в системах умного дома и космоса, VR-технологий, устройств «интернета вещей». Во время учебы студенты разрабатывают и интегрируют технологические процессы производства оптоэлектронных полупроводниковых приборов в научных лабораториях университета и центрах индустриального партнера АО «НПП «Квант», успешно совмещая учебные и рабочие проекты благодаря занятиям в вечернее время.

Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов

Глобальный спрос на инженеров в области полупроводниковой электроники увеличивается в связи с созданием нового поколения приборов специального назначения, таких как: супербыстрые зарядки для телефонов и электромобилей, двигатели прямого действия, дисплеи с высоким разрешением, фотоприемники чувствительные к искусственному свету, супермощные транзисторы и светодиоды. Магистерская программа готовит специалистов в области разработки, интеграции и сопровождения технологических процессов производства полупроводниковых приборов и устройств на широкозонных материалах: GaN, Ga2O3, синтетическом алмазе, перовскитах. Уже во время обучения студенты трудоустраиваются на предприятия бизнес-партнеров или в лаборатории университета. Удобный формат занятий в вечернее время позволяет совмещать рабочие и учебные проекты.