Материалы и технологии магнитоэлектроники

Программа направлена на подготовку высококвалифицированных специалистов в области магнитоэлектроники, которые занимаются созданием, диагностикой и применением современных перспективных магнитных материалов и приборов на их основе. Студенты изучают основные классы магнитных материалов в макро- микро- и наноразмерном исполнении и технологии получения этих материалов. Среди объектов изучения — материалы, применяемые для магнитной записи информации, радиопоглощения и радиоэкранирования, гипертермии и адресной доставки лекарств, активных сред СВЧ-электроники, автоматики и телевизионной техники, IoT. Выпускники программы востребованы как в научно-исследовательских организациях, так и в высокотехнологичных компаниях в качестве инженеров-технологов и специалистов R&D департаментов.

2 года обучения

Очная форма обучения на русском языке

Институт новых материалов

Код направления 11.04.04
Электроника и наноэлектроника

Узнай количество бюджетных мест и платных мест

88

Проходной балл в 2023

Вступительные испытания и минимальные баллы:

Вступительное испытание по направлению подготовки — 40

Программа вступительного испытания

50+
видов стипендий для «бюджетников» и «платников»
30+
наименований в списке индивидуальных достижений

Приемная комиссия

Мария Александровна Баранова

Руководитель приемной комиссии

+7 495 638-46-78

+7 495 638-30-78

Адрес: г. Москва, Ленинский проспект, д. 4

vopros@misis.ru

Преимущества программы

Актуальные направления исследований
Индивидуальная траектория обучения
Обучение у ведущих ученых и практиков индустрии
Инфраструктура для исследований
Практико-ориентированный подход

Дисциплины программы

26
предметов в области материаловедения, изучения оборудования и современных методов диагностики приборов для решения актуальных задач, связанных с изучением материалов магнитоэлектроники

Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники;

Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур;

Специальные вопросы физики магнитных явлений в конденсированных средах;

Физика ферритов и родственных им магнитных окислов;

Мёссбауэроская спектроскопия материалов магнитоэлектроники и микросистемной техники;

Приборы и устройства магнитоэлектроники;

Далее

Преподаватели

Владимир Григорьевич Костишин

Д.ф.-м.н., заведующий кафедрой технологии материалов электроники, член-корреспондент Академии инженерных наук РФ

Окончил физический факультет Львовского госуниверситета им. И. Франко по специальности «радиофизика и электроника», аспирантуру и докторантуру по кафедре ТМЭ «МИСиС». С 2010 г. — доктор наук, с 2015 г. — профессор. Научные интересы — в области физики и технологии ферритовых материалов. За последние 10 лет под его руководством выполнено научно-исследовательских и хоздоговорных работ на общую сумму около 100,00 млн. руб. Развил на кафедре такие научные направления: «радиационно-термическое спекание ферритовой керамики», «радиопоглощающие ферриты и композиты на их основе», «мультиферроидная керамика». Зам. главного редактора научного журнала «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», заведующий секции «физические методы исследования структуры и свойств» редколлегии научного журнала «Заводская лаборатория. Диагностика материалов», член редколлегии научного журнала «Modern Electronics». Имеет 340 публикаций в рецензируемых научных журналах.

Индекс Хирша WoS — 24, Индекс Хирша Scopus — 24, Индекс Хирша РИНЦ-23. В рамках программы читает курс «Электретные и магнитоэлектрические материалы и технологии их получения».

+7 495 638-46-51
kostishin@misis.ru

Лариса Владимировна Панина

Д.ф.-м.н., профессор кафедры технологии материалов электроники

Окончила физический факультет и аспирантуру МГУ по специализации «физика магнитных явлений». Область научных интересов: аморфные и нанокристалличекие сплавы. Работала в университетах Плимута (Великобритания) и Нагойя (Япония). На кафедре ТМЭ НИТУ МИСИС работает с 2013 г. Развила на кафедре новое направление магнитной микросенсорики и метаматериалов, по которому в 2016-м году успешно защитила докторскую диссертацию. Под ее руководством выполнен и выполняется целый ряд научных проектов (РФФИ, РНФ). Она является членом Института инженеров электротехники и электроники и его магнитного общества (IEEE-ведущая международная организация), член административной комиссии IEEE магнитного общества, редактор международного журнала Магнетизм и магнитные материалы, член редколлегии международного журнала Биосенсоры.

Индекс Хирша WoS — 41, Индекс Хирша Scopus — 41, Индекс Хирша РИНЦ-45. В рамках магистерской программы читает курсы «Методы математического моделирования», «Микро- и наносистемы в технике и технологии» и «Магнитные материалы для микро- и наносистем».

+7 495 638-44-51
alpanina@misis.ru

Александр Тимофеевич Морченко

К.ф.-м.н., доцент кафедры технологии материалов электроники

Окончил физический факультет Московского государственного университета им. М.И. Ломоносова по специальности «Физика». Научные интересы лежат в области физики и технологии материалов магнитной электроники и микросистемной техники. В рамках программы читает курсы «Специальные вопросы физики магнитных явлений в конденсированных средах», «Physics & Engineering of magnetic nanomaterials, micro- and nanosystems», «Физика ферритов и родственных магнитных оксидов», «Магнитные наносистемы, материалы и технологии». Индекс Хирша WoS — 10, Индекс Хирша Scopus — 10, Индекс Хирша РИНЦ-8.

+7 495 638-44-51
dratm@misis.ru

Владимир Валентинович Козлов

Д.т.н., профессор кафедры технологии материалов электроники

Окончил физическо-химический факультет Московского института электронной техники по специальности «полупроводники и диэлектрики», аспирантуру и докторантуру по кафедре ТМЭ «МИСиС». С 2010 г. — доктор наук, с 2017 г. — профессор.

Научные интересы — в области физико-химических свойств и технологии металло-полимерных нанокомпозитов и углеродных материалов. Развил на кафедре такие научные направления: «синтез композитов на основе полимеров и наночастиц полупроводников, металлов под действием ИК-нагрева», «синтез углеродного нанокристаллического материала при нагревании полимеров», «анализ механизма и кинетики синтеза углеродного материала с использованием методов термогравиметрического анализа и дифференциальной сканирующей калориметрии». Индекс Хирша WoS — 6, Индекс Хирша Scopus — 6, Индекс Хирша РИНЦ-6.

В рамках магистерской программы читает курсы «Металлуглеродные композиционные наноматериалы», «Методы синтеза углеродных наноматериалов». Область научных интересов: химия полисопряженных систем.

+7 495 638-45-43
kozlov.vv@misis.ru

Владимир Васильевич Коровушкин

Д.г.-м.н., профессор кафедры технологии материалов электроники

Окончил МИИТ по специальности «Автоматика, телемеханика и связь на ж.д. транспорте. С 1971 года по 2004 работал во Всесоюзном институте минерального сырья по применению месбауэровской спектроскопии для исследования минерального сырья. В 1978 году защитил кандидатскую диссертацию, а в 2004 году защитил докторскую диссертацию по специальности «Минералогия и кристаллография». С 2004 года работал в МИСиС на кафедре РТП по изучению железорудного сырья, а с 2014 года работает на кафедре ТМЭ по изучению материалов магнитоэлектроники с помощью мессбауэровской спектроскопии. Является членом бюро Научного Совета по методам минералогических исследований при ВИМСе, членом экспертного совета по присуждению ученых степеней в НИТУ МИСИС. Участвовал в грантах РФФИ и РНФ. Имеет 220 публикаций. Индекс Хирша WoS — 8. Индекс Хирша Scopus — 8.

Читает курс для магистров «Мессбауэровская спектроскопия материалов магнитоэлектоники и микросистемной техники». Область научных интересов: минералогия, кристалография, мёссбауэровская спектроскопия.

+7 495 951-23-82
vvkorovushkin@misis.ru

Андрей Владимирович Тимофеев

К.т.н., доцент кафедры технологии материалов электроники

Окончил НИТУ МИСИС по специальности «микроэлектроника и твердотельная электроника». Квалификация — инженер. В 2018 г. защищена кандидатская диссертация. Основные научные интересы: магнитные наноматериалы и их природа; технологии получения магнитных наноразмерных частиц; композиционные материалы на основе ферритов.

Индекс Хирша WoS — 5, Индекс Хирша Scopus — 5, Индекс Хирша РИНЦ-5.

В рамках программы ведет курс «Физика и техника магнитной записи».

timofeev.av@misis.ru

Светлана Алексеевна Евстигнеева

Ассистент, аспирант кафедры ТМЭ

Закончила бакалавриат и магистратуру кафедры ТМЭ по направлению «Электроника и наноэлектроника». Научные интересы лежат в области свойств и материаловедения ферритов, датчиков магнитных полей и токов. Проходила научные стажировки в Китае и Словении. Дважды выигрывала гранты РФФИ.

Индекс Хирша WoS — 4, Индекс Хирша Scopus — 3, Индекс Хирша РИНЦ-3.

В рамках программы ведет учебные курсы «Актуальные проблемы электроники и наноэлектроники» и «История и методология науки и техники в области электроники».

Показать всех преподавателей Скрыть

Возможности для студентов и трудоустройство

НИТУ МИСИС сотрудничает с ведущими компаниями и научно-исследовательскими организациями. Выпускники программы востребованы как в научно-исследовательских организациях, так и в высокотехнологичных компаниях в качестве инженеров-технологов и специалистов R&D департаментов.

Другие программы подготовки

Технологии микро- и наноэлектроники

Специалист в области микро- и наноэлектроники должен обладать глубокими знаниями в таких направлениях, как материаловедение и физика полупроводников, понимать физические основы технологических процессов создания новых материалов, обладать способностью к саморазвитию и быстрой адаптации. Магистранты участвуют в выполнении научно-исследовательских работ по математическому моделированию технологий получения новых материалов, оптимизации режимов технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, в разработке способов модифицирования компонентов твердотельной электроники и интегральных микросхем, а также методов технического контроля и испытания изделий. В рамках программы ведется подготовка специалистов для отраслевых и академических НИИ, производственных предприятий электронной отрасли, включая предприятия ВПК.

Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы

Магистерская программа готовит инженеров-разработчиков, технологов и аналитиков, востребованных на отечественном и мировом рынке производства оптоэлектронных приборов, таких как солнечные элементы, детекторы, светодиоды и фотоприемники, созданные на новых широкозонных материалах (GaN, Ga2O3, синтетический алмаз, перовскиты). Они используются в производстве солнечных панелей нового поколения, используемых в системах умного дома и космоса, VR-технологий, устройств «интернета вещей». Во время учебы студенты разрабатывают и интегрируют технологические процессы производства оптоэлектронных полупроводниковых приборов в научных лабораториях университета и центрах индустриального партнера АО «НПП «Квант», успешно совмещая учебные и рабочие проекты благодаря занятиям в вечернее время.

Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов

Глобальный спрос на инженеров в области полупроводниковой электроники увеличивается в связи с созданием нового поколения приборов специального назначения, таких как: супербыстрые зарядки для телефонов и электромобилей, двигатели прямого действия, дисплеи с высоким разрешением, фотоприемники чувствительные к искусственному свету, супермощные транзисторы и светодиоды. Магистерская программа готовит специалистов в области разработки, интеграции и сопровождения технологических процессов производства полупроводниковых приборов и устройств на широкозонных материалах: GaN, Ga2O3, синтетическом алмазе, перовскитах. Уже во время обучения студенты трудоустраиваются на предприятия бизнес-партнеров или в лаборатории университета. Удобный формат занятий в вечернее время позволяет совмещать рабочие и учебные проекты.

Полупроводниковые преобразователи энергии

Программа ориентирована на получение знаний и навыков в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники и нанофотоники. Студенты магистратуры изучают полупроводниковые преобразователи электроэнергии, разрабатывают технологии zero-energy домов, работают над исследованиями в области космической фотоэнергетики, созданием светоизлучающих диодов, солнечных батарей, детекторов ядерных частиц и предлагают новые решения для преобразования энергии. Выпускники программы «Полупроводниковые преобразователи энергии» становятся учеными-исследователями, которые продолжают карьеру в науке на программах аспирантуры, занимаются внедрением приборов на основе полупроводниковых преобразователей энергии, работают с инновационными продуктами энергетической отрасли в ведущих российских и международных лабораториях бизнес-компаний.