Хотите стать специалистом по фотодиодным структурам, детекторам излучений и солнечным батареям? Научиться проектировать оптоэлектронные полупроводниковые приборы и разрабатывать устройства на их основе?
На этом треке вы изучите радиационно-лучевую физику, материалы и приборы твердотельной электроники, наноразмерные объекты и свойства наноструктур. Научитесь использовать полупроводники и приборные структуры для напыления тонких пленок в вакууме, ионной имплантации, лучевой обработки, фотонного и лазерного отжига. Будете самостоятельно проводить экспериментальные исследования по заказу предприятий электронной промышленности. Сможете использовать вычислительные мощности и современное оборудование лабораторий и научных центров НИТУ МИСИС, включая кафедральный ускоритель тяжелых ионов.
Вы сможете участвовать в создании радиационно-стойких GaAs-детекторов, новых технологий преобразования солнечной энергии; разрабатывать технологии и аппаратуру для получения сверхчистых монокристаллов алмаза CVD; проектировать технологии оптоэлектронных полупроводниковых приборов и устройства на их основе.
Что меня ждет после выпуска?
После выпуска вы сможете сразу устроиться на работу или продолжить обучение в магистратуре по специальности. Наши выпускники работают на производственных предприятиях и в организациях по производству и разработке электронной компонентной базы.
Окончил МИСиС в 1973 году, работал в НИИПФ (1973-1982 гг.), Гиредмет (1982-2014 гг.), к.т.н. с 1983 г. Стажировки в Университете Карнеги-Меллон (США) в 1990-1992,1995-1997,2003-2005 гг., Бостонском университете в 2000 г., в Университете Чонбук (Корея) — в 2011-2012 гг. и 2013-2014 гг. В НИТУ МИСиС с 2014 г. Направление исследований — широкозонные материалы и приборы на их основе.
Область научных интересов: взаимодействие ионизирующих излучений с веществом, радиационные эффекты в материалах и изделиях электронной техники, проектирование радиационно-стойких изделий микроэлектроники и фотоники, методическое обеспечение радиационных и надежностных испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры, разработка полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений. Более 160 научных работ, включая 6 монографий и 4 учебных пособия. Главный редактор научно-технического сборника «Вопросы атомной науки и техники. Серия: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру».
Ведущий инженер проекта «Широкозонные материалы и приборы». Руководитель проектов, посвящённых исследованию замедленной релаксации фотоиндуцированного тока в оксиде галлия. Основные направления деятельности: электроника и микроэлектроника, характеризация полупроводниковых материалов и приборов, программирование.
Прийти в Университет МИСИС. Контакты приемной комиссии по ссылке.
Пошаговый алгоритм поступления можно посмотреть здесь.
*Приём документов начинается с 20 июня.
В качестве результатов вступительных испытаний признаются результаты ЕГЭ или результаты вступительных испытаний. На странице каждого направления подготовки можно найти списки ЕГЭ для обязательных предметов и предметов по выбору.
Посмотреть полный список достижений, за которые начисляют дополнительные баллы, можно здесь.
Вся информация о платном обучении размещена по ссылке.
Получить социальный налоговый вычет может Заказчик по договору. Ознакомиться с подробной информацией можно на странице в разделе «Информация о предоставлении налогового вычета».
На проживание в общежитии могут рассчитывать все иногородние студенты*, в том числе, поступившие на платные места.
* студенты, прописанные в других государствах, субъектах Российской Федерации, а также жители дальнего Подмосковья.
Студенты поступают на укрупненную группу специальностей и на первом курсе выбирают направление подготовки и знакомятся с актуальным списком образовательных траекторий. Выбор конкретного трека происходит на втором курсе — к этому времени перечень может быть расширен в зависимости от потребностей рынка и запросов работодателей. При распределении на треки учитываются интересы и успеваемость студентов. На самые востребованные треки возможен конкурс. На третьем и последующих курсах, если появляются новые предложения траекторий, можно будет сменить свой трек или остаться на ранее выбранном.
*Приём документов начинается с 20 июня.